製品カテゴリー
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RMS-1000S シリーズ半導体抵抗率測定システムは、主に半導体材料の導電率の評価および試験に使用されます。, このシステムは設計と開発に4線式抵抗測定原理を採用しています。, 高温および真空雰囲気条件下での半導体材料の抵抗および抵抗率を測定できます。, 温度と時間による試験サンプルの抵抗と比抵抗の曲線を分析できます. シリコンの抵抗率測定に幅広く使用できます。 (そして), ゲルマニウム (げ), ガリウムヒ素 (GaAs), アンチモン化インジウム (InSb), ガアアル, GaAsP, Ge-Siなどの固溶体半導体, GaAs-GaP, およびその他のバルク材料. GeSiなどの材料の抵抗率測定, GaAs-GaP, 等.
温度範囲: RT-600℃/1000℃
テストチャンネル: シングルチャンネル
電源: 220V±10%, 50Hz
温度上昇速度: 0-10℃/分 (標準: 3℃/分)
サンプルサイズ: φ<20mm, d<5mm
動作温度: 5 ℃~ + 40 ℃;
温度制御精度: ± 0.5 ℃
電極材質: 上下白金電極
保管温度: -40 ℃~ +65 ℃
抵抗測定範囲: 0.1mΩ~100MΩ
温度制御モード: PID精密温度制御
動作湿度: +40 ℃, 相対湿度は最大 95% (結露なし)
抵抗率測定範囲: 1mΩ.cm~10MΩ.cm
データ保存形式: TXTテキストフォーマット
装置サイズ: 630×640×450mm (長さ×高さ×幅)
測定環境: 空気, 流動雰囲気, 真空雰囲気
データ送信: USB
重さ: 38kg
測定方法: 半導体材料2線式
規格への適合: ASTM
保証: 1 年
Matmeas RMS-1000Sシリーズ半導体材料抵抗率測定システムは、主に半導体材料導電率の評価とテストに使用されます, システムは設計と開発のために4線抵抗法の測定原理を採用しています, 高温および真空雰囲気条件下での半導体材料の抵抗および抵抗率を測定できます, 測定されたサンプルの抵抗と、温度と時間の変化による抵抗率曲線を分析できます. シリコンの抵抗率測定に幅広く使用できます。 (そして), ゲルマニウム (げ), ヒ化物 (GaAs), アンチモン化物 (InSb), ガアアル, GaAsP, Ge-Siなどの固溶体半導体, GaAs-GaPおよびその他のバルク材料. GeSiなどの材料の抵抗率測定, GaAs-GaP, 等.
温度範囲: 室温~600℃/1000℃
昇温速度: 0-10℃/分 (標準: 3℃/分)
温度制御精度: ±0.5℃
抵抗測定範囲: 0.1mΩ~100MΩ
抵抗率測定範囲: 1mΩ.cm~10MΩ.cm
測定環境: 空気, 流動雰囲気, 真空雰囲気
測定方法: 2-半導体材料のワイヤー法
テストチャンネル: シングルチャンネル
サンプルサイズ: φ<20mm,d<5mm
電極材質: 上下白金電極
温度制御モード: PID精密温度制御
データ保存形式: TXTテキストフォーマット
データ送信: USB
標準: ASTM
電源: 220V±10%, 50Hz
動作温度: 5℃ ~ +40℃.
保管温度: -40℃ ~ +659℃
動作湿度: まで 95% +40℃での相対湿度 (冷却なし) デバイスのサイズ: 630×640×450mm (LxHxW)
重さ: 38kg
保証: 1 年
