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Partulab RMS-1000P高温四探针测量系统主要用于评估半导体薄膜和片材的电导率, 系统采用内联四探头测量原理,采用国家标准单晶硅物理测试方法并参考美国A.S.T.M. 标准设计与开发, 可实现高温, 真空和惰性气氛条件下测量硅, 锗单晶 (酒吧, 晶圆) 电阻率与硅系统参照美国A.S.T.M设计开发. 标准,可测量硅、锗单晶的电阻率 (棒材和晶圆) 和硅外延层的方块电阻, 扩散层和离子注入层, 以及导电玻璃的方阻和电阻率 (这) 以及其他高温下的导电薄膜, 真空和惰性气氛. 该系统在高校得到广泛应用, 研究机构和企业单位研究半导体薄膜和片材的电性能.
询问MatMeas RMS-1000P high temperature four-probe measurement system is mainly used to evaluate the electrical conductivity of semiconductor films and sheets, 系统采用内联四探头测量原理,采用国家标准单晶硅物理测试方法并参考美国A.S.T.M. 标准设计与开发, 可实现高温, 真空和惰性气氛条件下测量硅, 锗单晶 (酒吧, 晶圆) 电阻率与硅系统参照美国A.S.T.M设计开发. 标准,可测量硅、锗单晶的电阻率 (棒材和晶圆) 和硅外延层的方块电阻, 扩散层和离子注入层, 以及导电玻璃的方阻和电阻率 (这) 以及其他高温下的导电薄膜, 真空和惰性气氛. 该系统在高校得到广泛应用, 研究机构和企业单位研究半导体薄膜和片材的电性能.
测量温度: 室温-600℃/1000℃
温度斜坡: 0-10℃/分钟 (典型值: 3℃/分钟)
控温精度: ±0.5℃
电阻测量范围: 0.1毫欧~100兆欧
正电性测量范围: 1mΩ.cm~100MΩ.cm
方阻范围: 0.1毫欧~100兆欧
测量环境: 空气, 流动的气氛, 真空气氛
测量组合: 四探头双电测组合测量
样本量: φ15~30mm, d<4毫米片材或薄膜
电极材料: 碳化钨针 / 铂探头
数据存储格式: TXT文本格式
数据传输: USB
电源: 220电压±10%, 50赫兹
工作温度: 5℃至+40℃.
储存温度: -40℃至+65℃
工作湿度: 最多 95% +40°C 时的相对湿度 (非冷凝)
设备尺寸: 630x640x450mm (长x高x宽)
重量:38千克
保修单: 1 年