Matmeas RMS 1000p系列高温导电材料电阻率测量系统

MATMEAS RMS-1000P高温四探针测量系统主要用于评估半导体膜和板的电导率, 系统采用内联四探头测量原理，采用国家标准单晶硅物理测试方法并参考美国A.S.T.M. 标准设计与开发, 可实现高温, 真空和惰性气氛条件下测量硅, 锗单晶 (酒吧, 晶圆) 电阻率与硅系统参照美国A.S.T.M设计开发. 标准，可测量硅、锗单晶的电阻率 (棒材和晶圆) 和硅外延层的方块电阻, 扩散层和离子注入层, 以及导电玻璃的方阻和电阻率 (这) 以及其他高温下的导电薄膜, 真空和惰性气氛. 该系统在高校得到广泛应用, 研究机构和企业单位研究半导体薄膜和片材的电性能.

测量温度: 室温-600℃/1000℃
温度斜坡: 0-10℃/分钟 (典型值: 3℃/分钟)
控温精度: ±0.5℃
电阻测量范围: 0.1毫欧~100兆欧
正电性测量范围: 1mΩ.cm~100MΩ.cm
方阻范围: 0.1毫欧~100兆欧
测量环境: 空气, 流动的气氛, 真空气氛
测量组合: 四探头双电测组合测量
样本量: φ15~30mm, d<4毫米片材或薄膜
电极材料: 碳化钨针 / 铂探头
数据存储格式: TXT文本格式
数据传输: USB
电源: 220电压±10%, 50赫兹
工作温度: 5℃至+40℃.
储存温度: -40℃至+65℃
工作湿度: 最多 95% +40°C 时的相对湿度 (非冷凝)
设备尺寸: 630x640x450mm (长x高x宽)
重量:38千克
保修单: 1 年