MatMeas RMS-1000P high temperature four-probe measurement system is mainly used to evaluate the electrical conductivity of semiconductor films and sheets, o sistema adota o princípio de medição de quatro sondas em linha e o padrão nacional de método de teste físico de silício de cristal único e referência ao A.S.T.M americano. design e desenvolvimento padrão, pode perceber alta temperatura, condições de vácuo e atmosfera inerte para medir silício, cristal único de germânio (bar, bolacha) resistividade e silício O sistema é projetado e desenvolvido com referência à norma americana A.S.T.M.. padrão e pode medir a resistividade de monocristais de silício e germânio (hastes e wafers) e a resistência quadrada das camadas epitaxiais de silício, camadas de difusão e camadas de implantação iônica, bem como a resistência quadrada e a resistividade do vidro condutor (ESSE) e outros filmes condutores sob alta temperatura, vácuo e atmosfera inerte. O sistema é amplamente utilizado em universidades, institutos de pesquisa e unidades de negócios para estudar as propriedades elétricas de filmes finos semicondutores e materiais em folha.
Temperatura de medição: TA-600°C/1000°C
Rampa de temperatura: 0-10°C/min (valor típico: 3C/min)
Precisão do controle de temperatura: ±0,5°C
Faixa de medição de resistência: 0.1mΩ~100MΩ
Faixa de medição eletropositiva: 1mΩ.cm~100MΩ.cm
Faixa de resistência quadrada: 0.1mΩ~100MΩ
Ambiente de medição: ar, atmosfera fluida, atmosfera de vácuo
Combinação de medição: medição combinada de medição elétrica dupla de quatro sondas
Tamanho da amostra: φ15~30mm, d<4folha ou filme mm
Material do eletrodo: agulha de carboneto de tungstênio / sonda de platina
Formato de armazenamento de dados: Formato de texto TXT
Transferência de dados: USB
Fonte de energia: 220V±10%, 50Hz
Temperatura operacional: 5C a +40C.
Temperatura de armazenamento: -40C a +65C
Umidade operacional: até 95% umidade relativa a +40°C (sem condensação)
Tamanho do equipamento: 630x640x450mm (CxAxL)
Peso:38kg
Garantia: 1 ano
