圧電セラミックの分極

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  • Matmeas RMS 1000pシリーズ高温導電性材料抵抗率測定システム

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    圧電セラミックの分極, 抵抗 & 抵抗率測定

    Partulab RMS-1000P 高温 4 プローブ測定システムは、主に半導体フィルムおよびシートの導電性を評価するために使用されます。, このシステムは、インライン 4 プローブ測定原理と、単結晶シリコンの物理的試験方法の国家標準および米国 A.S.T.M を参照しています。. 標準設計と開発, 高温を実現できる, シリコンを測定するための真空および不活性雰囲気条件, ゲルマニウム単結晶 (バー, ウエハース) 抵抗率とシリコン システムは米国の A.S.T.M. を参照して設計および開発されています。. 標準であり、シリコンおよびゲルマニウム単結晶の抵抗率を測定できます (ロッドとウエハース) とシリコンエピタキシャル層の二乗抵抗, 拡散層とイオン注入層, 導電性ガラスの二乗抵抗と抵抗率も同様 (これ) 高温下でのその他の導電性フィルム, 真空および不活性雰囲気. このシステムは大学で広く使用されています, 半導体薄膜やシート材料の電気的特性を研究する研究機関や事業部門.

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    • 仕様

    MatMeas RMS-1000P high temperature four-probe measurement system is mainly used to evaluate the electrical conductivity of semiconductor films and sheets, このシステムは、インライン 4 プローブ測定原理と、単結晶シリコンの物理的試験方法の国家標準および米国 A.S.T.M を参照しています。. 標準設計と開発, 高温を実現できる, シリコンを測定するための真空および不活性雰囲気条件, ゲルマニウム単結晶 (バー, ウエハース) 抵抗率とシリコン システムは米国の A.S.T.M. を参照して設計および開発されています。. 標準であり、シリコンおよびゲルマニウム単結晶の抵抗率を測定できます (ロッドとウエハース) とシリコンエピタキシャル層の二乗抵抗, 拡散層とイオン注入層, 導電性ガラスの二乗抵抗と抵抗率も同様 (これ) 高温下でのその他の導電性フィルム, 真空および不活性雰囲気. このシステムは大学で広く使用されています, 半導体薄膜やシート材料の電気的特性を研究する研究機関や事業部門.

    測定温度: 室温~600℃/1000℃
    温度上昇: 0-10℃/分 (代表値: 3℃/分)
    温度制御精度: ±0.5℃
    抵抗測定範囲: 0.1mΩ~100MΩ
    陽性測定範囲: 1mΩ.cm~100MΩ.cm
    方形抵抗範囲: 0.1mΩ~100MΩ
    測定環境: 空気, 流れる雰囲気, 真空雰囲気
    測定の組み合わせ: 4つのプローブの二重電気測定の組み合わせ測定
    サンプルサイズ: φ15~30mm, d<4mmシートまたはフィルム
    電極材質: 炭化タングステン針 / プラチナプローブ
    データ保存形式: TXTテキスト形式
    データ転送: USB
    電源: 220V±10%, 50Hz
    動作温度: 5摂氏~+40度.
    保管温度: -40℃~+65℃
    動作湿度: まで 95% +40℃での相対湿度 (結露しないこと)
    装置サイズ: 630×640×450mm (長さx高さx幅)
    重さ:38kg
    保証: 1 年

     

     

     

     

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