Piezoelektrische Keramikpolarisation

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  • Matmeas RMS 1000p Serie Hochtemperaturleitfähiger Materialwiderstandsmesssystem

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    Piezoelektrische Keramikpolarisation, Widerstand & Widerstandsmessung

    Das Hochtemperatur-Messsystem Partulab RMS-1000P mit vier Sonden wird hauptsächlich zur Bewertung der elektrischen Leitfähigkeit von Halbleiterfilmen und -platten verwendet, Das System übernimmt das Inline-Vier-Sonden-Messprinzip und den nationalen Standard der physikalischen Testmethode für einkristallines Silizium sowie einen Verweis auf das amerikanische A.S.T.M. Standarddesign und -entwicklung, kann hohe Temperaturen realisieren, Vakuum- und Inertatmosphärenbedingungen zur Messung von Silizium, Germanium-Einkristall (Bar, Wafer) Widerstand und Silizium Das System wurde unter Bezugnahme auf das amerikanische A.S.T.M. entworfen und entwickelt. Standard und kann den spezifischen Widerstand von Silizium- und Germanium-Einkristallen messen (Stäbe und Waffeln) und der quadratische Widerstand von Silizium-Epitaxieschichten, Diffusionsschichten und Ionenimplantationsschichten, sowie der quadratische Widerstand und der spezifische Widerstand von leitfähigem Glas (DAS) und andere leitfähige Filme unter hoher Temperatur, Vakuum und inerte Atmosphäre. Das System ist an Universitäten weit verbreitet, Forschungsinstitute und Geschäftseinheiten zur Untersuchung der elektrischen Eigenschaften von Halbleiter-Dünnfilm- und -Blattmaterialien.

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    • Spezifikationen

    Das Hochtemperatur-Messsystem MatMeas RMS-1000P mit vier Sonden wird hauptsächlich zur Bewertung der elektrischen Leitfähigkeit von Halbleiterfilmen und -platten verwendet, Das System übernimmt das Inline-Vier-Sonden-Messprinzip und den nationalen Standard der physikalischen Testmethode für einkristallines Silizium sowie einen Verweis auf das amerikanische A.S.T.M. Standarddesign und -entwicklung, kann hohe Temperaturen realisieren, Vakuum- und Inertatmosphärenbedingungen zur Messung von Silizium, Germanium-Einkristall (Bar, Wafer) Widerstand und Silizium Das System wurde unter Bezugnahme auf das amerikanische A.S.T.M. entworfen und entwickelt. Standard und kann den spezifischen Widerstand von Silizium- und Germanium-Einkristallen messen (Stäbe und Waffeln) und der quadratische Widerstand von Silizium-Epitaxieschichten, Diffusionsschichten und Ionenimplantationsschichten, sowie der quadratische Widerstand und der spezifische Widerstand von leitfähigem Glas (DAS) und andere leitfähige Filme unter hoher Temperatur, Vakuum und inerte Atmosphäre. Das System ist an Universitäten weit verbreitet, Forschungsinstitute und Geschäftseinheiten zur Untersuchung der elektrischen Eigenschaften von Halbleiter-Dünnfilm- und -Blattmaterialien.

    Messtemperatur: RT-600°C/1000°C
    Temperaturrampe: 0-10°C/Min (typischer Wert: 3C/Min)
    Genauigkeit der Temperaturregelung: ±0,5 °C
    Widerstandsmessbereich: 0.1mΩ ~ 100 MΩ
    Elektropositiver Messbereich: 1mΩ.cm~100MΩ.cm
    Quadratischer Widerstandsbereich: 0.1mΩ ~ 100 MΩ
    Messumgebung: Luft, fließende Atmosphäre, Vakuumatmosphäre
    Messkombination: Doppelte elektrische Messkombinationsmessung mit vier Sonden
    Stichprobengröße: Ø15~30mm, D<4mm Blatt oder Film
    Elektrodenmaterial: Wolframcarbid-Nadel / Platinsonde
    Format der Datenspeicherung: TXT-Textformat
    Datentransfer: USB
    Stromversorgung: 220V±10%, 50Hertz
    Betriebstemperatur: 5C bis +40C.
    Lagertemperatur: -40C bis +65C
    Betriebsfeuchtigkeit: bis zu 95% relative Luftfeuchtigkeit bei +40°C (nicht kondensierend)
    Gerätegröße: 630x640x450mm (LxHxB)
    Gewicht:38kg
    Garantie: 1 Jahr

     

     

     

     

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